Основные характеристики GoodRAM GR533DD64L4/256
|
|
Объём оперативной памяти, МБ
|
256
|
|
Тип оперативной памяти
|
DDR2
|
|
Тактовая частота оперативной памяти, МГц
|
533 МГц
|
|
Пропускная способность, МБ/сек
|
4200 Мб/с
|
Окружение GoodRAM GR533DD64L4/256
|
|
Номинальное напряжение питания, В
|
1.8 В
|
Общие характеристики GoodRAM GR533DD64L4/256
|
|
Низкопрофильная (Low Profile)
|
нет
|
|
Поддержка ECC
|
нет
|
|
Буферизованная (Registered)
|
нет
|
Тайминги GoodRAM GR533DD64L4/256
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
4
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
4
|
|
Activate to Precharge Delay (tRAS)
|
12
|
|
CAS Latency (CL)
|
4
|
Дополнительно GoodRAM GR533DD64L4/256
|
|
Количество чипов каждого модуля
|
4, односторонняя упаковка
|