Основные характеристики Hynix DR2 533 SO-DIMM 512Mb
|
|
Объём оперативной памяти, МБ
|
512
|
|
Тип оперативной памяти
|
DDR2
|
|
Тактовая частота оперативной памяти, МГц
|
533 МГц
|
|
Пропускная способность, МБ/сек
|
4200 Мб/с
|
Окружение Hynix DR2 533 SO-DIMM 512Mb
|
|
Номинальное напряжение питания, В
|
1.8 В
|
Общие характеристики Hynix DR2 533 SO-DIMM 512Mb
|
|
Низкопрофильная (Low Profile)
|
нет
|
|
Поддержка ECC
|
нет
|
|
Буферизованная (Registered)
|
нет
|
Тайминги Hynix DR2 533 SO-DIMM 512Mb
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
4
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
4
|
|
CAS Latency (CL)
|
4
|
Дополнительно Hynix DR2 533 SO-DIMM 512Mb
|
|
Количество ранков
|
1
|
|
Количество чипов каждого модуля
|
4, односторонняя упаковка
|
|
Совместимость
|
Toshiba Dynabook
|