Основные характеристики Kingston KVR667D2S8F5/512
|
|
Объём оперативной памяти, МБ
|
512
|
|
Тип оперативной памяти
|
DDR2
|
|
Тактовая частота оперативной памяти, МГц
|
667 МГц
|
|
Пропускная способность, МБ/сек
|
5300 Мб/с
|
Окружение Kingston KVR667D2S8F5/512
|
|
Номинальное напряжение питания, В
|
1.8 В
|
Общие характеристики Kingston KVR667D2S8F5/512
|
|
Низкопрофильная (Low Profile)
|
нет
|
|
Поддержка ECC
|
есть
|
|
Буферизованная (Registered)
|
да
|
Тайминги Kingston KVR667D2S8F5/512
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
5
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
5
|
|
Activate to Precharge Delay (tRAS)
|
15
|
|
CAS Latency (CL)
|
5
|
Дополнительно Kingston KVR667D2S8F5/512
|
|
Дополнительная информация
|
Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.
|
|
Количество ранков
|
1
|
|
Количество чипов каждого модуля
|
9, двусторонняя упаковка
|
|
Радиатор
|
есть
|