Основные характеристики Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb
|
|
Объём оперативной памяти, МБ
|
512
|
|
Тип оперативной памяти
|
DDR2
|
|
Тактовая частота оперативной памяти, МГц
|
800 МГц
|
|
Пропускная способность, МБ/сек
|
6400 Мб/с
|
Окружение Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb
|
|
Номинальное напряжение питания, В
|
1.8 В
|
Общие характеристики Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb
|
|
Низкопрофильная (Low Profile)
|
нет
|
|
Поддержка ECC
|
нет
|
|
Буферизованная (Registered)
|
нет
|
Тайминги Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
5
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
5
|
|
CAS Latency (CL)
|
5
|
Дополнительно Samsung DDR2 800 DIMM 512Mb
|
|
Количество ранков
|
1
|
|
Количество чипов каждого модуля
|
8, односторонняя упаковка
|